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产品及应用

IGBT 激光快速退火系统

产品介绍

精确的单 / 双脉冲控制,对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火,实现激活深度,有效修复离子注入破坏的晶格结构。

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产品特点
  • ·  10um 激活深度                                 
     · WPH 高达 30

  • · 优异的方阻均匀性和表面颜色                      

  • · 完整的全程监控反馈能力

  • · 支持超薄片、TAIKO 片、翘曲片退火           

  • · 具备激光辅助加热系统




应用产品类型

标准晶圆、Flat 晶圆、Notch 晶圆、Taiko 晶圆

技术指标
项目
LA2540S LA2550SLA2540D LA2550D
晶圆尺寸4/6、6/8、8/12 inch 兼容
激光功率60W+150W90W+150W120W+300W 180W+300W 
8 寸片典型扫描时间110 sec/p 90 sec/p60 sec/p 45 sec/p 
激光能量密度≥ 5J/cm² ≥ 5J/cm²
激光输出稳定性≤ 2%,RMS,4hrs
激活率≥ 95% @B Implant,≥ 90% @P Implant
均匀性片内:≤ 1%,片间:≤ 1%,@8 寸,RS
粉尘控制≤ 30 @ 0.5um,≤ 5 @ 1um
自动传片系统双 LoadPort、多关节机器手、预准直器


应用案例

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Chengdu Laipu Technology co.,LTD

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