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产品及应用

硅基浅结/超浅结晶圆激光快速退火系统

产品介绍

晶圆获得极浅的原始杂质离子注入后,采用激光瞬间退火来激活杂质,并精确控制注入离子的峰值深度,保证注入杂质不发生明显的扩散再分布,获得合格的超浅结源漏区。

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产品特点

< 50nm 结深控制

低至 10nm 以内的峰值浓度深度控制

优异的杂质形貌分布和均匀性

WPH 高达 25

完整的全程监控反馈功能


应用产品类型

背照式图像传感器晶圆



技术指标
项目LA2515
晶圆尺寸4/6、6/8 inch 兼容
激光功率15W/13W
典型扫描时间90 sec/p@ 6 inch
激光能量密度0.3-3J/cm²
激活率≥ 95% @B Implant
均匀性片内:≤ 1%,片间:≤ 1%,@6 inch,RS
自动传片系统双 LoadPort、多关节机器手、预准直器


应用案例

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Chengdu Laipu Technology co.,LTD

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